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东莞市天域半导体科技有限公司，是由东莞市高田地产开发有限公司和东莞市鸿昌水泥制品有限公司两家实力雄厚的民营企业合资组建的高科技股份有限公司，该公司成立于2009年1月，注册资金3千万。
高田房地产开发有限公司成立于1994年6月，是东莞市的一家著名大型民营企业，主要投资于房地产、酒店业及传统的造纸工业等项目，总资产额超过了20亿人民币。东莞市鸿昌水泥制品有限公司成立于1998年，同样也是东莞市的一家著名民营企业，其法人作为民营企业家的优秀代表现已被选为第十四届东莞市人大代表，2009年的总资产达到了4亿人民币。
公司位于广东省东莞市松山湖高科技产业园区，占地面积30亩，厂房面积8000平方米，总投资达5亿元人民币。主要设备的先期投入已达1.5亿元人民币,是目前国内唯一一家专业从事研发，生产，销售碳化硅外延片的企业。
碳化硅（SiC）单晶是继Si、GaAs之后的第三代半导体材料，也是难度最大，技术含量最高的半导体材料。作为一种宽带隙半导体材料，SiC具有禁带宽、击穿电压高、电子饱和漂移速度高、热导率高、抗辐射能力强、化学稳定性好等优良的物理电子性质以及与硅集成电路工艺兼容等特点，是目前已知最为理想的半导体材料，将给短波长光电器件、射频和微波器件、大功率半导体电力转换块及半导体照明器件（LED）的发展带来革命性的突破。由于碳化硅晶体的优良特性，其器件的应用不仅涉及到电力机车、混合动力车和高亮度半导体照明等经济领域，而且还涉及航空航天、卫星通信、机载雷达、军事等国家高端核心安全领域，所以SiC是近几年发达国家争相研究的重要项目。目前SiC器件相关技术（单晶、外延和器件技术）和市场被美国、日本、德国、俄罗斯等少数几个发达国家所垄断，而且对华严格封锁，加之技术难度太大，至今我国在碳化硅外延片的产业化方面还是空白，这严重阻碍了我国碳化硅器件的发展及产业化。
这些已引起我国的高度重视，2006年12月25日根据国务院发布的《实施<国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006—2020年）>》的要求，信息产业部、科学技术部、国家发展改革委共同制订了《我国信息产业拥有自主知识产权的关键技术和重要产品目录》，其中碳化硅外延相关技术被列入“电子元器件和材料”领域的“关键技术”项目和“重要产品”项目中。
目前公司正在通过引进的国外先进设备及技术(主要为日本碳化硅CVD外延设备及三菱公司资深外延设备专家和工艺专家) ，和国内资深专家（主要为中科院半导体所）进行设备的调试和试生产。生产的样片多次送到国内外进行测试，已达到相应的技术指标。
公司的成立引起国内外碳化硅行业广泛关注，纷纷前来进行交流洽谈合作事宜，其中包括日本三菱、东京电子、意大利LPE、德国Aixtron、中国科学院半导体所和物理所等著名企业及院所。公司选择了中科院半导体所，于2010年5月合作成立了“碳化硅半导体技术”研究院，公司将购买两台德国Aixtron 2800G4WW SiC-CVD进行研发与量产。中科院派6-10位科技人员（其中包括1位中科院院士），和我公司的技术专家将共同进行“第三代宽禁带半导体外延材料及器件产业化项目”的研究开发，结合双方的优势形成了一支“第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化”的顶尖创新技术团队。2010年月6月，德国Aixtron技术专家来我公司进行考察交流。11月我公司和中科院半导体所领导对Aixtron进行了回访，同时考察了意大利LPE公司，并达成了合作协议。
我们将和中科院半导体所共同打造中国的碳化硅产业基地，填补国内的碳化硅外延片材料和电子器件的空白，为国出力，为发展广东省战略性新兴产业做出贡献。
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